СПРАВОЧНИК МОЛОДОГО РАДИСТА

       

Транзисторы малой мощности


Низкочастотные. Германиевые сплавные транзисторы р — n — р МП39Б, МП40А, МП41А применяются для работы в схемах уси­ления НЧ и выпускаются в металлическом корпусе (рис. 56, а — в) со стеклянными изоляторами и гибкими выводами, массой 2,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до +70 °С. Электрические параметры приведены в табл. 109.

Кремниевые транзисторы р-n-р МП 114, МП 115, МП116 выпуска­ются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гиб­кими выводами (рис. 57), массой 1,7 г, с диапазоном рабочих тем­ператур от — 55 до +100°С. Электрические параметры приведены в табл. 110.

Рис. 56. Цоколевка и габаритные размеры транзисторов МП39В, МП40А, МП41А (а) и их входные (6) и выходные (в) ха­рактеристики в схеме с общей базой

Рис. 57. Цоколевка и габарит­ные размеры транзисторов МП114 — МП116

Таблица 109



Параметры

Типы транзисторов

МП39Б

МП40А

МП41А

Предельная частота передачи тока, МГц, при Iэ=1 мА и Uкб=5 В

0,5

1

1

Коэффициент передачи тока при Uкб= — 5 В; Iа=1 мА, f=1 кГц и температуре, СС :

 

 

 

20

20 — 60

20 — 40

50 — 100

60

20 — 80

20 — 120

50 — 300

 — 40

10 — 60

10 — 40

25 — 100

Пробивное напряжение Uкб, В, при f=50 Гц

15

30

15

Наибольшие; напряжения UKЭ и UK6, В, при ,40 °С: постоянное

15

30

15

импульсное

20

30

20

Коэффициент шума, дБ, при Iэ=0,5 мА, Uкб=1,5 В и f=1 кГц

12

 

 

Обратный ток коллектора, мкА, при UКб= — 5 В и температуре, °С:

20 ............... 15

70 ............... 300

Обратный ток эмиттера, мкА, при UЭб= — 5 В 30

Наибольший постоянный ток коллектора, мА 20

Емкость коллектора, пФ, при UK6=5 В и

f=500 кГц.............. 60

Наибольший импульсный ток коллектора,

мА, при IЭСр<40 мА......... 150

Выходная проводимость, мкСм, при Iэ=1 мА,

U„б=5 В и f=1 кГц.......... 3,3

Сопротивление базы, Ом, при Iэ=1 мА,

Uкб=5 В и f=500 кГц......... 220

Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при температуре, °С:


55 ............... 150

70................ 75

Отрицательное напряжение Uэв, В .... 5

Таблица 110

Параметры

Типы транзисторов

МП114

МШ15

МП 116

Предельная частота передачи тока, кГц, при Uкб=5 В и Iэ=1 мА

100

100

500

Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при Uкэ=5 В, Iэ=1 мА, f= 1 кГц

9

9 — 45

15 — 100

Пробивное напряжение UKб, В, при f=50 Гц

70

40

20

Напряжения UK6 и UKa, В, при 70 °С

60

30

15

Напряжение Uae при температуре от — 50 до т 100 °С

10

10

10

Обратный ток коллектора, мА, при Uк= — 30 В и температуре 20 и 100 °С соответственно ... 10 и 400

Обратный ток эмиттера, мкА, при Uэб= — 10 В и температуре 20 и 100 °С соответственно . . . - 10 и 200

Входное сопротивление, Ом, в схеме с ОБ при LU= — 50 В, Iэ=1 мА, f=1 кГц....... 300

Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при 70°С................. 150

Среднечастотные. Транзисторы р-n-р КТ203 (А, Б, В) приме­няются для усиления и генерирования колебаний в диапазоне до 5 МГц, для работы в схемах переключения и стабилизации и вы­пускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 58), массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до +125°С. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 111.



Рис. 58. Цоколевка и габарит­ные размеры транзисторов КТ203А — В

Таблица 111

Параметры

Типы транзисторов

КТ203А

КТ203Б

МТ203В

Предельная частота передачи тока в схеме с ОБ, МГц

5

5

5

Коэффициент передачи тока в режи­ме малого сигнала при Uк=5 В, Iэ=1 мА

9

30 — 100

30 — 200

Напряжение Uкэ, В, при температуре °С: от — 55 до +75

60

30

15

125

30

15

10

Напряжение UЭб, В Входное сопротивление, Ом, в схеме

30

300

15

300

10

300

с ОБ при данном Uье *

 

 

 

Обратный ток коллектора, мкА, при наибольшем обратном напряжении и температуре 25 и 125 °С соответственно...............1 и 15

Обратный ток эмиттера, мкА, при Uэ6= — 30 В . 10



Емкость коллекторного перехода, пФ, при UКб=5 В и f=10 МГц............. 10

Ток коллектора, мА: постоянный .............. 10

импульсный............. . 50.

Среднее значение тока эмиттера в импульсном ре­жиме, мА................. 10

Мощность, рассеиваемая коллектором, МВт, при температуре до 70 °С ......... V . . 150

* Для транзисторов КТ203А — К.Т203В напряжение ukq соответст-венно равно 50, 30 в 15 В,

Высокочастотные. Конверсионные транзисторы р-n-р ГТ321

(А — Е) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 59, а), массой 2 г, с диапазоном рабочих температур от — 55 до +60 °С. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 112.



Рис. 59. Цоколевка и основные размеры транзисторов:

а - ГТ321. б — ГТ322, в - ГТ323

Таблица 112

Параметры

Типы транзисторов

ГТ321А

ГТ321Б

ГТ321В

ГТ321Г

ГТ321Д

ГТ321Е

Статический ко­эффициент пет редачи тока при Uкэ=3 В и I, = 500 мА

20 — 60

40 — 120

80 — 200

20 — 60

40 — 120

80 — 200

Модуль коэффи­циента передачи тока при I8= 15 мА, Uк = 10 В и f = 20 МГц

3

8

3

3

3

3

Емкость перехода пФ: коллекторно­го, при UKa= — 10 В и f=5 МГц

80

80

80

80

80

80

эмиттерного при Uэб= — 0,5 В

600

600

600

600

600

600

Постоянная вре­мени цепи обратной связи, пс, при ин= 10 В, Iэ= 15 мА и f= 5 МГц

600

600

600

600

600

600

.Напряжение на коллекторе, В, при котором на­ступает перево­рот фазы базо­вого тока при Iэн=700 мА и Tк<450С

40

40

40

30

30

30

Обратный ток коллектора, мкА, при UK= — 30 В, Tк=20°С............. . . . . 100

Начальный ток коллектора, мА, при R6=100 Ом и предельном напряжении UKa........ 0,8

Напряжение в режиме насыщения, В:

Uкэ при Iк=700 мА........... 2,5

Uбэ при I„=700 мА*.......... 1,3

Импульсный ток коллектора, А, при тимп=30 мкс и температуре 45 °С............ 2

Ток базы, мА.............. 30

Импульсный ток базы, мА, при тимп=30 мкс . . 500



Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при Tк<45°С ................ 160

Импульсная мощность на коллекторе, Вт, при TК<45°С ................ 20

* При токе базы 140 мА — для транзисторов ГТ321А, ГТ321Г; 70 мА — для ГТ321Б, ГТ321Д и 36 мА — для ГТ321В, FT321E

Транзисторы р-n-р ГТ322 (А, Б, В) применяются для работы в УВЧ радиовещательных приемникрв и выпускаются в металличес­ком корпусе с гибкими выводами (рис. 59, б), массой 0,6 г, с диа­пазоном рабочих температур от — 40 до -{-55 °С. Корпус Кр тран­зистора электрически соединен с четвертым выводом и может быть использован в качестве экрана. Электрические параметры транзи­сторов приведены в табл. 113.

Таблица 113

Параметры

Типы транзисторов

ГТ322А

ГТ322Б

ГТ322В

Статический коэффициент передачи тока

30 — 100

50 — 120

20 — 120

Модуль коэффициента передачи тока на f=20 МГц

4

4

2,5

Емкость коллектора, пФ, при Uкб= — 5В и f=10 МГц

1,8

1,8

2,5

Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при f=5 МГц

. 50

100

200

Обратный ток коллектора, мкА, при UКб= — 10 В и температуре, °С:

20.................. 4

55.................. 100

Входное сопротивление *, Ом, в схеме с ОБ в диа­пазоне частот от 50 до 1000 Гц...... . 34

Выходная проводимость*, мкСм, в схеме с ОБ в.

диапазоне частот от 50 до 1000 Гц...... 1

Коэффициент шума *, дБ, на частоте 1,6 МГц . . 4

Тепловое сопротивление, °С/мВт....... 0,7

Ток коллектора, мА............ 5

Напряжение UKn, В............ — 15

Напряжение UK3, В при Rб>10 кОм..... 10

Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при Tк<25°С ................ 50

» При икб-----5 В и 1Э=1 мА.

Транзисторы n-р-n ГТ323 (А, Б, В) выпускаются в металличес­ком корпусе с гибкими выводами (рис 59, в), массой 2 г, с диапа­зоном рабочих температур — 55 до +60 °С. Электрические парамет­ры транзисторов приведены в табл 114.

Таблица 114

Параметры

Типы транзисторов

ГТ323А

ГТ323Б

ГТ323В

Статический коэффициент передачи тока при Iк =0,5 А и Uкв=5 В

20 — 60

40 — 120

50 — 200

Время рассасывания, не, при Iк — 1 А и токе базы *

100

100

150




Емкость, пФ:

коллектора при UКб=15 В и f=5 МГц .... 30

эмиттера при U8б=0,25 В и f=5 МГц .... 100 Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при

Uк=10 В, Iэ=10 мА и f=10 МГц....... 300

Обратный ток, мкА:

коллектора при UK6=20 В . ..... 30

эмиттера при UЭб=2 В.......... 100

Напряжение коллектора, В, при котором наступает

переворот фазы базового тока при Iэ=100 мА . . 10 Напряжение в режиме насыщения, В:

Uкэ при Iк=1 А и I6=100 мА....... 2,5

Uбэ при Iк=1 А и, I6=100 мА....... 3

Импульсный ток коллектора, А ....... 1

Напряжение UКб, В............ 20

Напряжение UK9, В, при Яв=1 кОм..... 20

Напряжение UЭб, В............ 2

Напряжение Uка, В, запертого транзистора при

Uбэ=0,25-2 В.............. 20

Мощность**, мВт, рассеиваемая коллектором, с 500 теплоотводом, при температуре от — 50 до +50 °С

Импульсная мощность, Вт, при тимп=0,5 мкс . . 5

 100 мА — для ГТ323А. 50 мА — для ГТ323Б, 25 мА — для ГТ323В. ** При температуре корпуса Тк -50-60 °С мощность. мВт,

РKMaKC=10(100-Tк°C).

Планарные транзисторы n-p-n KT312 (А, Б, В) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 60,а), массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С. Их входные и выходные характеристики показаны на рис. 60, б, в, а электриче­ские параметры приведены в табл. 115.



Рис 60 Цоколевка (а, г), входные (б, д) и выходные (в, е), ха­рактеристики транзисторов КТ312 и КТ315

Таблица 115

Параметры

Типы транзисторов

КТ312А

КТ312Б

КТ312В

Статический коэффициент передачи тока при Iк=20 мА, Uк=2 В

10 — 100

25 — 100

50 — 280

Модуль коэффициента передачи токч при Iэ=5 мА, Uк=10 В и f=20 МГц;

4

6

6

Максимальное напряжение, В:

Uкб

20

35

20

Uкэ при сопротивлении между эмиттером и базой 100 кОм

20

35

20

Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при Iэ=5 мА, Uк=10 В и f=5 МГц........... 500

Емкость, пФ коллектора при UКб=10 В и f= 10 МГц........... 5

эмиттера при Uэб — 1 В и f=10 МГц ..................20



Обратный ток коллектора, мкА, при Uкб=15 В (для КТ312А и КТ312В) и при Uнб=30 В (для КТ312Б) .... 10

Обратный ток эмиттера, мкА, при UB6=4 В............ 10

Напряжение в режиме насыщения, В:

UM при Iк=2 мА и I6=20 мА . . 0,8

Uбэ при Iб=2 мА и Iк=20 мА . . 1,1

Постоянный ток коллектора, мА ... 30

Импульсный ток коллектора, мА ... 60

Напряжение Uэб, В ....... 4

Мощность, мВт, рассеиваемая коллек­тором, при TK<60°C....... 225

Импульсная мощность, мBт, при Тимп<1 мкс........... 450

Транзисторы n-p-n KT315 (А — Е) выпускаются в пластмассо­вом корпусе (рис. 60, г) массой 0,18 г, с диапазоном рабочих тем­ператур от — 55 до +100°С. Входные и выходные характеристики этих транзисторов показаны на рис. 60, д, е, а их электрические па­раметры приведены в табл. 116.

Таблица 116

Параметры

Типы транзисторов

КТ316А

КТ315Б

КТ315В

КТ316Г

КТ315Д

КТ315Е

Статический ко­эффициент пе­редачи тока при Uк=10 В и Iв=1 мА

20 — 90

50 — 350

20 — 90

50 — 350

20 — 90

50 — 350

Модуль коэффи­циента переда­чи тока при

Uк=10 В, I8 =5 мА и

f=100 МГц

2,5

2,5

2,5

2,5

2,5

2,5

Постоянная вре­мени цепи об­ратной связи, пс, при Uи=10 В, I8=5 мА

500

500

500

500

1000

1000

 
Напряжение Uнз, B, при R6э=10 кОм

20

15

30

25

 —

 —

 
Напряжение, В, в режиме насы­щения при Iн=20 мА

и Iб=2мА:

 

 

 

 

 

%

 
UKэ

0,4

0,4

0,4

0,4

0,1

0,1

 
Uбэ

0,1

0,1

0,1

0,1

15

1 5

 
Напряжение кол­лектора, В, при котором насту­пает переворот фазы тока Iб при Iв=5 мА

15

15

30

25

30

25

 
Обратный ток, мкА:

коллектора при Uк6=10 В...... 1

эмиттера при Uэб=5 В....., . 30

Наибольший ток коллектора, мА . . . . 100

Общее тепловое сопротивление, °С/мВт . , 0,67 Емкость коллектора, пФ, при UK=10 В . . 7



Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт 150

Транзисторы р-n-р КТ347 (А, Б, В) выпускаются в металличес­ком корпусе (рис. 61,а) массой 0.5 г, с диапазоном рабочих темпе­ратур от — 40 до +85°C. Электрические параметры транзисторов приведены а табл. 117.



Рис. 61, Цоколевка и габаритные размеры транзисторов:

а-КТ347 (KТ349, КТ350, КТ351), б-КТ373

Таблица 117

Параметры

Типы транзисторов

КТ347А

КТ347Б

КТ347В

Предельно допустимое напряжение UK9, В, при Rб<10 кОм

15

9

6

Предельно допустимое напряжение Uкб, В

15

9

6

Время рассасывания, не, при Iб1 = I62= 1 мА, Iк= 10 мА

25

25

40

Модуль коэффициента передачи тока на f=100 МГц при Uк=5 В, Iэ=10 мА ........... 5

Обратный ток, мкА: коллектора при предельно допустимом UКб . 1

эмиттера при U3е=4 В « ......... 10

Начальный ток коллектора, мкА, при Rб<10 кОм и предельно допустимом UKa......... 5

Напряжение коллектор — эмиттер в режиме насы­щения, В, при Iк=10 мА и Iб=1 мА...... 0,3

Емкость эмиттера, пФ, на частоте 10 МГц при Uэб=0.................. 8

Напряжение Uэо, В............ 4

Постоянный ток коллектора, мА ....... 50

Импульсный ток коллектора, мА ....... ll0

Мощность, мВт, рассеиваемая коллектором, при TС<55°С.......;......... 150

Тепловое сопротивление, °С/мВт ....... 0,5

Транзисторы р-n-р КТ349 (А, Б, В) выпускаются в металличес­ком корпусе с гибкими выводами (см. рис. 61, а), массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С, Электрические параметры транзисторов приведены ниже.

 

КТ349А

КТ349Б

КТ349В

Статический коэффициент передачи тока при Uк=1 В и Iа=10 мА .....

20 — 80

40 — 160

120 — 300

Модуль коэффициента пе­редачи тока при f=100 МГц; и Iэ=10 мА ......

 

3

 

Предельная частота пере­дачи тока, МГц .... .

 

300

 

Обратный ток, мкА: коллектора при UK6= 10 В ......

 

1

 

эмиттера при UЭб=4 В Начальный ток коллекто­ра, мкА, при Uкэ=4 В. Rб<20 кОм

 

1 1,5

 

Напряжение, В, в режи­ме насыщения при Iк= 10 мА и Iб=1 мА:

ика ........

 

0,3

 

иба . . . .....

 

1,2

 

Емкость перехода, пФ:

коллекторного при UКб=5 В и f=10 МГц . . .

 

6

 

эмиттерного при Uэс=0 и f=10 МГц ....

 

8

 

Импульсный ток коллек­тора, мА, ПРИ Тиып<1 МКС

 

40

 

Напряжение UКб, В ...

 

20

 

Напряжение UЭб, В ...

 

4

 

Напряжение Uкэ, В, при Rб<10 кОм . .....

 

15

 

Мощность*, мВт, рассеива­емая коллектором, при Tс= — 40+300С . . . . .

 

200

 




* При температуре среды выше 30 °С мощность, мВт, РК.МаКС= ( 150-7 с)/0,6.

Транзисторы р-n-р КТ350А выпускаются в металлическом кор­пусе с гибкими выводами (см. рис. 61, а), массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С. Электрические параметры транзисторов приведены ниже.

Статический коэффициент передачи тока при Uк=1 В и Iэ=500 мА : . ........20 — 200

Модуль коэффициента передачи тока при f= 20 МГц, UH=5 В и Iэ=10 мА ....... 5

Емкость, пФ:

коллектора при Uиб=5 В и f=5-10 МГц . 70 эмиттера при UЭб=1 В и f=5-10 МГц ... 100

Напряжение в режиме насыщения, В, при Iк=500 мА и Iб=50 мА:

Um ................0,5

Uбэ ................1,25

Обратный ток, мкА:

коллектора при UKБ=10 В....... 1

эмиттера при Uэб=4 В........ 10

Импульсный ток коллектора, мА, при Тимп<1 мс . :..............боо

Напряжение UKэ, В, при Rб<10 кОм .... 15

Напряжение UKo, В...... . . . 20

Напряжение Uб, В........... 4

Мощность *, мВт, рассеиваемая коллектором,

при температуре от — 40 до +30°С .... 200 .

* При температуре среды более 30 °С мощность, мВт, Р К.МАКC= -J150-7- с)/0.6.

Транзисторы р-n-р К351 (А, Б) выпускаются а металлическом корпусе с .ибкими выводами (см. рис. 61, а), массой 0,5 г, с диа­пазоном рабочих температур от — 40 до + 85°С. Электрические па­раметры транзисторов приведены ниже.

 

КТ351А КТ351Б

Статический коэффициент передачи тока при UK=l В и Iэ=300 мА . .

20 — 80 50 — 200

Модуль коэффициента передачи тока при f= 100 МГц, UK=5 В и Iэ=10 мА ..........

2

Емкость, пФ, при f=5-10 МГц: коллектора при UКб=5 В ...

эмиттера при (7Эб=1 В ....

15

30

Напряжение, В, в режиме насы­щения при Iк=400 мА и Iб=50 мА: UKa . . . . ; ..... ; .

0,6

Uбэ ....... ....

1,1

Обратный ток, мкА: коллектора при UКб=10 В . .

эмиттера при Uэо=4 В ....

1

10

Импульсный ток коллектора, мА,

при Тимп = 4 МКС . . ......

400

Напряжение UK9, В, при Rб< .10 кО,м Напряжение Uкб, В ..... .

15 20

Напряжение UЭб, В ..... , Мощность *, мВт, рассеиваемая коллектором, при температуре от -40 до +30 °С ........

4 200




* При температуре среды более 30 °С мощнвсть, мВт, Р ft,MaftG: = ( 150-Tc)/0,6.

Транзисторы p-n-р КТ373 (А — Г) выпускаются в пластмассовом корпусе (рис. 61, б) массой 0,1 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до 4- 85 °С. Электрические параметры транзисторов приведе­ны в табл. 118.

Таблица 118

Параметры

Типы транзисторов

КТ373А

КТ373Б

KT373B

КТ373Г

Статический коэффи­циент передачи тока при Uк=5 В в Iэ= 1 мА

100 — 250

200 — 600

500 — 1000

50 — 125

Модуль коэффициента передачи тока при IЭ=5мА и f=100МГц

3

3

3

3

Емкость коллектора,

ПФ, При Uкб=б В

8

8

8

8

Напряжение Uкб, В

30

25

10

60

Напряжение переворота фазы тока базы при £«5мА

25

20

10

25

Напряжение Uac, В ....... 5

Обратный ток, мкА:

коллектора при UKa=25 В ... 0,05 эмиттера при Uэб = 5 В . . . . . 30

Ток коллектора, мА: постоянный . . . . . . . . .  60

импульсный ......... 200

Предельная частота передачи тока базы, МГц . . . . . . .... .300

Мощность, рассеиваемая коллекто­ром, мВт . . . . . . . . . . . . 150

Сверхвысокочастотные. Транзисторы р-n-р ГТ328 (А, Б, В} при­меняются для работы в каскадах АРУ радиоприемных и телевизи-онных устройств метрового диапазона волн и выпускаются в метал­лическом корпусе с гибкими выводами (рис. 62, а), массой 2 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до -f55°C. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 119.



Рис. 62. Цоколевка и габаритные размеры транзисторов: а-ГТ328 (ГТ346), б-ГТ329

Таблица 119

Параметры

Типы транзисторов

ГТ328А

ГТ328Б

ГТ328В

Статический коэффициент передачи тока

20 — 200

40 — 200

10 — 50

Предельная частота передачи тока, МГц

400

300

300

Постоянная времени цепи обратной

связи, ПС, При Uкб = 10 В и Iэ= 2 мА

5

10

10

Обратный ток коллектора, мкА, при UКб=15 В . 10 Предельно допустимый ток коллектора, мА . . « 10

Пробивное напряжение, В:



Uкб.................. 15

Uэб при разомкнутой цепи коллектора .... 0,2

Емкость коллектора, пФ, при UКб=5 В .... 1,5 Мощность, мВт, рассеиваемая коллектором, при

температуре 55 °С............. 45

Транзисторы n-р-n ГТ329 (А — Г) выпускаются в металлическом герметичном корпусе с полосковыми выводами (рис. 62,6), массой 2 г, с диапазоном рабочих температур от - — 50 до +60 °С. Электри­ческие параметры транзисторов приведены в табл. 120.

Таблица 120

Параметры

Типы транзисторов

ГТ329А

ГТ329Б

ГТ329В

ГТ329Г

Статический - коэффи­циент передачи тока базы при ик — 5 В и Iэ=5 мА

15 — 300

15 — 300

15 — 300

15 — 300

Модуль коэффициента передачи тока при UK=5 В, Iэ=5 мА, f=300 МГц

4,6

5,6

3,3

2,3 ;

Емкость, пФ. коллектора при Uкб=5 В и f=30 МГц

2

3

3

2

эмиттера при UЭб= 0,5 В и f=30 МГц

3,5

3,5

3,5

3,5

Обратный ток, мА:

 

коллектора при Uкб=10 В

5

5

5

5

эмиттера при UЭб=0,5 В

100

100

100

100

Постоянная времени це­пи обратной связи, пс, при Uк=5 В, Iэ=5 мА и I=30 МГц

15

20

20

15

Напряжение Uas, В, при температуре среды 60 °С и Iэ овр =100 мкА

0,5

0,5

1

0,5

Напряжение Ukб, В Напряжение Uкэ, В, при Rб<1 кОм

10 5

10 5

10 5

10

5

Коэффициент шума, дБ, при Uк=5 В, Iэ=3 мА и f=400 МГц

4

6

6

5

Мощность *, рассеивае­мая коллектором, мВт

50

50

50

50

*При температуре среды 40 — 60 °С мощность, мВт, Pк.макс=(80 — Tс)/0,8.

Транзисторы р-n-р ГТ346 (А, Б) применяются для работы в селекторах телевизионных каналов дециметрового диапазона с АРУ и выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (см. рис. 62, а), массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +55°С. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 121.

Таблица 121

Параметры

Типы транзисторов

ГТ346А

ГТ346Б

Статический коэффициент передачи тока базы

10

10

при Uк=10 В и Iв=2 мА

 

 

Модуль коэффициента передачи тока при f= 100 МГц и Iэ=2мА

7

5,5

Емкость коллектора, пФ, при UКб=5 В и f=

1,3

1,3

= 10 МГц

 

 

Обратный ток, мкА:

 

 

коллектора при Uк6=15 В

10

10

эмиттера при Uэа=0,3 В

100

100

Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при UK=10 В и Iэ=2 мА

3

5,5

Напряжение Uкэ, В, при Rб=5 кОм

15

15

Напряжение Uкб, В

15

15

Напряжение, Uэб, В

0,3

0,3

Коэффициент шума при Iэ=2 мА и f=800 МГц

8

 —

Граничная частота передачи тока, МГц

700

550

Ток коллектора, мА

10

10

Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт

40

40




Транзисторы n-р-n КТ325 (А, Б, В) выпускаются в металличес­ком корпусе с гибкими выводами (рис. 63, а) массой 2,2 г, с диапа­зоном рабочих температур от — 60 до + 125°С. Электрические па­раметры транзисторов приведены ниже.



Рис. 63. Цоколевка и основные размеры транзисторов:

а — КТ325, б — КТ326, в — KT337 (КТ363), г — ГТ339, в — КТ345

 

КТ325А

КТ325Б

КТ325В

Статический коэффи­циент передачи тока при Uк=5 В и Iэ=10 мА .

30 — 90

70 — 210

160 — 400

Модуль коэффициента . передачи тока при Uк=5 В, Iэ=10 мА и f=100 МГц .....

8

6

8

Емкость, пФ, при f= 10 МГц: коллектора при Uкв=5В ......

 

2,5

 

эмиттера при Uat=0 В ......

 

2,5

 

Обратный ток, мкА: коллектора при Uкб= 15 В .....

0,5

эмиттера при Uэб= 4В ......

1

Ток коллектора, мА .

60

Постоянная времени цепи обратной . связи, пс, при Uк=5 В, Iэ== 10 мА и f=100 МГц

125

Напряжение Uкэ, В, при Rб<3 кОм . , .

15

Напряжение Uк, Вг при котором наступает переворот фазы базово­го тока, при Iэ=1 мА .

15

Пробивное напряже­ние В: Uкб при отключенном эмиттере .....

15

Uэб при отключен­ном коллекторе . .

4

Мощность, мВт, рас­сеиваемая коллектором, при температуре, °С: 60 . . .....

225

125 .......

75

Транзисторы р-n-р КТ326 (А, Б) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис 63,6), массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до -Н25°С. Электрические параметры, транзисторов приведены ниже.

Статический коэффициент передачи тока при UH=2 6, Iэ=10 мА:

для КТ326А............20-70

для КТ326Б.............45-160

Емкость, пФ:

коллектора при UКб=5 В и f=10 МГц ... 5 эмиттера при Uаб=Р В и f=10 МГц ... 4

Обратный ток, мкА:

коллектора при UКб=20 В.......0,5

эмиттера при UЭб=4 В....... 0,1

Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при Uк=5 В, Iэ=10 мА и f=5 МГц ...... 450

Напряжение, В:

Uкб при отключенном эмиттере ..... 20 U36 при отключенном коллекторе..... 4



Напряжение, В, в режиме насыщения при Iк=10 мА и Iб=1 мА:

Uка................0,3

Uэб................ . 1,2

Граничная частота передачи тока, МГц, при

UK=5 В и Iв = 10 мА...........400

Ток коллектора, мА.........., 50

Мощность *, мВт, рассеиваемая коллектором, при тем.пературе 30 °С..........200

* При температуре среды выше 30 °С мощность, мВт. Рк макс = (150-TС)/0,6.

Транзисторы р-n-р КТ337 (А, Б, В) выпускаются в металличе­ском корпусе с гибкими выводами (рис. 63, в),чмассой 0,5 г, с диа­пазоном рабочих температур от — 40 до 4-85°С. Электрические па­раметры транзисторов приведены в табл. 122.

Таблица 122

Параметры

Типы транзисторов

КТ337А

КТ337Б

КТ337В

Статический коэффициент передачи

30 — 70

50 — 75

70 — 120

тока при Uк=0,3 В и Iэ=10 мА

 

 



Модуль коэффициента передачи тока

5

6

6

при f=100 МГц, Uк=5 В и Iэ=

 

 

 

= 10 мА

 

 

 

Емкость, пФ, при частоте 10 МГц:

 

 

 

коллектора при U„6=5 В

6

6

6

эмиттера при Uэб=0 В

8

8

8

Обратный ток, мкА:

 

 

 

коллектора при UКб=6 В

1

1

1

эмиттера при Uэо=4 В

5

5

5

Время рассасывания, не, при I61=

25

28

28

Iб2=1 мА, Iк=10 мА

 

 

 

Напряжение, В, в режиме насыщения при Iк= 10 мА и Iб=1 мА:

UKa ................ 0,2

U69.................. .1

Напряжение UКб, В .........  . 6

Напряжение Uэб, В ............ 4

Напряжение Uкэ, В, при Rо<10 кОм ..... 6

Начальный ток коллектора, мкА, при Rб<10 кОм в Uкб=6 В................ 5

Ток коллектора, мА............ 30

Мощность*, рассеиваемая коллектором, мВт . . 150

Температура перехода, °С ......... 150

* При температуре среды более 30°С мощность, мВт, Рк.макс3 (150-TС)/0,6. ,

Транзисторы n-р-n КТ339 (А — Д) применяются для работы в выходных каскадах промежуточной частоты телевизионных прием­ников 1-го и 2-го классов и выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 63,г), массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С.


Электрические параметры транзисто­ров приведены в табл. 123.

Таблица 123

Параметры

Типы транзисторов

КТ339А

КТ339В

КТ339В

КТ339Г

КТ339Д

Статический ко-

эффициент пе­редачи тока при I9=7 В и UK= 10 В

25

 

15

 

25

 

40

 

15

 

Емкость коллек­тора, пФ

2

2

2

2

2

Обратный ток кол­лектора, мкА, при Uкб=40 В ( для КТ339Б оно равно 25 В)

1

1

1

1

 

Постоянная вре­мени цепи об­ратной связи, пс, при f=5 МГц

25

25

50

100

150

Напряжение U«э, В Напряжение. Uкб, В Напряжение Uas, В Предельная частота передачи тока, МГц

25

40

4

300

12

25

4

200

25

40

4

450

25

40

4

250

25

40

4

250

Ток коллектора, мА, при температуре до 70 °С ...... . ....... 25

Мощность*, рассеиваемая коллектором, мВт ............... . 250

Температура перехода, °С .....* 120

* При повышении температуры от Б5 до 70 °С мощ­ность снижается линейно до 100 мВт.

Транзисторы n-р-n КТ342 (А — Г) выпускаются в металличес­ком корпусе с гибкими выводами (см рис. 63, в), массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до + 125°С. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 124.

Таблица 124

Параметры

Типы транзисторов

КТ342А

КТ342Б

KT342B

КТ342Г

Статический коэффици-

100 — 250

200 — 500

400 — 1000

50 — 125

ент передачи тока при Iэ=7 мА и Uк=10 В Емкость коллектора,

8

8

8

8

пФ, при UK=5 В

 

 

 

 

Обратный ток, мкА, кол­лектора при напряже­нии коллектор — ба­за, В:

 

 

 

.

25 (КТ342А), 20 (КТ342Б),

0,5

0,5

0,5

0,5

15 (КТ342В)

 

 

 

 

и 25 (КТ342Г) Обратный ток эмиттера, мкА, при Uэб=5 В

30

30

30

30

Напряжение UH9, В, при R6<10 кОм и темпе­ратуре среды, °С

 

 

 

 

от — 60 до +100

30

25

10

60

125

25

20

10

45

Напряжение Uкэ, В, при нулевом токе базы, Iэ=5 мА и температу­ре от — 60 до +100°С

25

20

10

25

Напряжение, В, в режи­ме насыщения при Iи=10 мА и. Iб=1 мА. коллектора

0,1

0,1

0,1

0,2

эмиттера

0,9

0,9

0,9

1,1

Граничная частота пере­дачи тока, МГц

300

300

300

300

Ток коллектора, мА

50

50

50

50

Импульсный ток коллек­тора, мА

300

300

300

300

Мощность *, рассеивае­мая коллектором, мВт

250

250

250

250




* При температуре среды выше 26 °С мощность, мВт, Pк.макс=150.

Транзисторы р-n-р КТ345 (А, Б, В) выпускаются в пластмассо­вом корпусе с гибкими выводами (рис. 63, д), массой 0,5 г, с диа­пазоном рабочих температур от — 40 до +85°С

Электрические па­раметры транзисторов приведены ниже

Статический коэффициент передачи тока при UK=1 В и Iэ=100 мА для транзисторов:

КТ345А .............. 20 — 60

КТ345Б............... 50 — 85

КТ345В .............. 70 — 105

Модуаь коэффициента передачи тока при f=

= 100 МГц, UK=5 В и Iэ=10 мА...... 3,5

Емкость, пФ:

коллектора при f=1-10 МГц и Uкв=5 В . 15

эмиттера при f=5-4-10 МГц и Uэб=0 В . . 30

Обратный ток, мкА:

коллектора при UK6=20 В....... I

эмиттера при Uаб=4 В........ 1

Напряжение Uкб, В........... 20

Напряжение UKa, В.......... 20

Напряжение Uэв, В........... 4

Напряжение, В, в режиме насыщения при Iк= 100 мА и Iб=10 мА:

Uкэ................ 0,14 — 0,3

Uба ................ 0,92 — 1.1

Ток коллектора, мА-

постоянный............. 200

импульсный ............ 300

Мощность*, мВт, рассеиваемая коллектором:

постоянная............. 100

импульсная............. 300

Температура перехода, °С........ 150

Тепловое сопротивление переход — окружающая

среда, °С/мВт............. 1,1

* При температуре среды выше 40 °С мощность, мВт, РКМЛКс,= (150 — Tс)/1,1

Транзисторы р-n-р КТ363 (А, Б) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (см, рис 63,в), массой 0,5 г, с диапа­зоном рабочих температур от — 40 до +85 °С Электрические па­раметры транзисторов приведены ниже

 

КТ363А

КТ363В

Статический коэффициент пе­редачи тока при Uк=5 В и Iэ=5 мА

20 — 70

40 — 120

Емкость коллектора, пФ, при Uкб=5 В и f=10 МГц .....

2

2

Модуль коэффициента передачи то­ка при f=100 МГц и Iэ = 5 мА

12

15

Граничная частота передачи тока, МГц ........ ....

1200

1500

Постоянная времени цепи обрат­ной связи, пс, при Uк=5 В, Iэ=5 мА

Время рассасывания, не, при Iк=10 мА и токе первой базы: 1 мА ...........

50 10

75

 
0,5 мА ....... ...

 —

5

 
Обратный ток, мкА коллектора при UКб=15 В . .

0,5

 
эмиттера при UЭб=4 В ...

0,5

 
Ток коллектора, мА: постоянный

30

 
ИМПУЛЬСНЫЙ При Тимп=1 МКС и скважности более 2 .....

50

 
Напряжение, В, в режиме насыще­ния при Iк=10 мА и I6=1 мА: Uкэ ...........

0,35

 
Uвэ ...........

1,1

 
Напряжение Uкб, В ..... 

15

 
Напряжение Uаб, В .....

4

 
Мощность *, рассеиваемая коллек­тором, мВт . . .. .......

150

 
* При температуре среды выше 45 °С мощность, мВт, ркм&кс — =(150-Tс)/0.7.

 



Содержание раздела