СПРАВОЧНИК МОЛОДОГО РАДИСТА



         

Полупроводниковые резисторы - часть 5


Примечaниe. Номинальная мощность указана при температуре окру­жающей среды 70 °С для варисторов СН1-1-1, СН-1-2, при 75°С — для СН1-6, при ?0 °С - для СН1-2-1, СН1-2-2.

Кратность изменения сопротивления RT/Rc — отношение темно» вого сопротивления ФР к сопротивлению при освещенности 200 ли от источника с цветовой температурой 2850К.

Удельная чувствительность во — отношение фототока к произве­дению величины падающего на фоторезистор светового потока и приложенного к нему напряжения, т.е. 8о=Iф/(ФU).

Интегральная чувствительность еи — произведение удельной чув­ствительности на предельное рабочее напряжение, т.е. еи = еоU.

Параметры наиболее распространенных фоторезисторов приве­дены в табл. 48.

Таблица 48

Фоторезистор

Рабочее напря­жение, В

Мощность рас-сеивания, Вт

Темчовое сопро­тивление, МОм

Темновой ток, мкА

Световой ток, мА

Кратность изме­нения сопротив­ления

Удельная чувст­вительность, мА/(лм-В)

Интегральная чувствитель­ность, мкА/лм

СФ2-1

15

10

15

0,5

1

500

400

10

СФ2-2

2

50

v2

0,5

1,5

500

75

0,36

СФ2-8

100

125

100

1

1000

СФ2-16

10

10

3,3

0,3

100

СФЗ-1

15

10

30

0,01

1,5

1500

600

20

СФЗ-2

5

100

5

0,5

2

500

80

СФЗ-5

2

50

2

0,5

500

СФЗ-8

20

50

20

0,5

500

ФСК-1

50

125

3,3

5

2

100

7

2,8

ФСК-2

100

125

3,3

10

1

20

1,6

0,5

ФСД-1

20

50

2

1

3

150

30

15

ФСА-1

100

10

0,02

1,2

500

ФСА-12

40

10

0,05

— -

1,2

500

Фоторезисторы используют для формирования электрических сигналов под действием облучающих световых сигналов, а также для обнаружения и регистрации световых сигналов.

 




Содержание  Назад  Вперед